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800G光トランシーバー白書解説(2):PAM4変調とSR/FR/DRチャネル構成

SOPTO

2026-08-14 14 閲覧
800G光トランシーバー白書解説(2):PAM4変調とSR/FR/DRチャネル構成

800G光トランシーバー白書解説(2):PAM4変調とSR/FR/DRチャネル構成

800G実装の核心は物理層革新です。本稿ではPAM4変調の採用、8×100Gと4×200Gの2大構成、およびSR/FR/DR各距離に応じた技術選定ロジックを詳述します。

PAM4 チャネル構成 シリコンフォトニクス VCSEL

PAM4:スペクトル効率の倍増

800Gは従来のNRZを廃し、PAM4(4値パルス振幅変調)を全面採用。1シンボルで2ビット伝送が可能となり、同一ボー周波数で伝送効率が2倍に向上します。ただし、信号レベル間隔が狭まるため、SN比やリニアリティへの要求が厳しくなります。

2大主流チャネル構成

  • 8×100G構成:短距離マルチモード(SR)向け。成熟したVCSELアレイとOM4/OM5光ファイバを活用し、低コスト・低消費電力・高互換性を実現(QSFP-DD/OSFP)。
  • 4×200G構成:中長距離シングルモード(FR/DR)向け。EMLまたはシリコンフォトニクス(SiPh)集積レーザを採用。200G/laneでの信号品質維持が課題。

伝送距離と技術マッピング

  • SR8(100m未満):マルチモード、VCSELアレイ、コスト重視型DC。
  • FR8(500m):シングルモード、EMLレーザ、キャンパス間接続。
  • DR8(1km):シングルモード、SiPhまたはTFLN変調器、HPCクラスタ。
技術動向:1.6Tへの進化に伴い、4×200G構成が主流に。CMOS親和性の高いシリコンフォトニクスが主役となる見通しです。

800G技術選定ガイド

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